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P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進一步探討。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
為解決二氧化碳汽提法尿素生產(chǎn)的四種高壓設(shè)備，即尿素合成塔、高壓冷凝器、高壓洗滌塔和二氧化碳汽提塔所用Cr - Ni奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕問題，尿素牌號00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n仍需選擇具有大量成熟使用經(jīng)驗的。但鋼中碳、磷、硅的含量應(yīng)盡量控制，特別是磷的含量應(yīng)盡量低。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
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